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7AF-HMG SiC研磨機(jī)

簡(jiǎn)要描述：7AF-HMG研磨機(jī)具有實(shí)時(shí)過程監(jiān)控及雙探頭監(jiān)測(cè)功能，研磨SiC會(huì)產(chǎn)生熱量，從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹，使用單個(gè)探針，研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確，通常會(huì)導(dǎo)致研磨不足，使用雙探針可防止研磨不足，一個(gè)探針參考晶圓，另一個(gè)探針則參考工作卡盤，這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差

  • 產(chǎn)品型號(hào)：
  • 廠商性質(zhì)：代理商
  • 產(chǎn)品資料：
  • 更新時(shí)間：2024-11-09
  • 訪  問  量： 3509

詳細(xì)介紹

7AF-HMG研磨機(jī)特點(diǎn)：

雙探頭檢測(cè)：

研磨SiC會(huì)產(chǎn)生熱量，從而導(dǎo)致研磨機(jī)熱膨脹，使用單個(gè)探針，研磨的前幾塊晶圓的厚度讀數(shù)將不準(zhǔn)確，通常會(huì)導(dǎo)致研磨不足，使用雙探針可防止研磨不足，一個(gè)探針參考晶圓，另一個(gè)探針則參考工作卡盤，這消除了優(yōu)于熱膨脹引起的誤差


實(shí)時(shí)過程監(jiān)控：


應(yīng)用：

基質(zhì)研磨

·在晶圓制造過程的早期發(fā)生，

·用線鋸或K-cut切割

·漿料去除通常在10微米

·后續(xù)晶圓制造操作為表面

·用6EZ拋光


背面研磨

·在晶圓的一側(cè)制造器件后發(fā)生

·起始面通常具有較低的TTV

·漿料去除通常在100微米

其他應(yīng)用程序

·線鋸基材的背面減薄和整體減薄









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